Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила об очередных достижениях в сфере разработки флэш-памяти NAND. По заявлениям Samsung, ей удалось создать первый в мире микрочип памяти емкостью в 64 Гбит, при изготовлении которого применяется производственный процесс с нормами класса 30 нанометров.

Микрочип памяти Samsung (изображение с сайта Samsung)

Новые чипы NAND могут использоваться для создания флэш-карт большого объема. Так, например, объединив шестнадцать чипов емкостью в 64 Гбит каждый в одну микросхему, можно получить накопитель, вмещающий до 128 Гб информации. На такую карту памяти, как отмечают в Samsung, можно будет записать 80 фильмов или 32 тысячи музыкальных композиций.

Представленный микрочип изготовлен по новой технологии, получившей название SaDPT (Self-aligned Double Patterning Technology - двойная компоновка с самовыравниванием). Методика SaDPT предполагает формирование структур в два этапа. При этом расширяются возможности традиционной литографии, что позволяет решить проблемы, связанные с переходом на нормы около 30 нанометров. То есть, фактически специалистам Samsung удалось разработать методику, которая позволит наладить выпуск продукции с нормами порядка 30 нанометров на существующем литографическом оборудовании.

Компания Samsung уже подала три десятка патентных заявок на технологии, связанные с изготовлением 30-нанометровых чипов памяти емкостью в 64 Гбит. Массовое производство таких микрочипов, как ожидается, будет начато в 2009 году.