Компьюлента уже писала, что NEC и Toshiba ведут совместные разработки. Недавно эти компании анонсировали новый тип оперативной памяти - магниторезистивную. В основе действия MRAM - магнетизм, а не электрический заряд, хранение же данных схоже с тем, как это происходит на видео- или аудиокассетах. MRAM быстрее сегодняшних самых быстрых DRAM-чипов и меньше их по размеру. Новая память достигает ёмкости в 16 Мбит, скорости чтения/записи в 200 Мб/с и имеет энергопотребление всего в 1,8 В.

Главной задачей в разработке MRAM было увеличение скорости доступа. В новых модулях памяти улучшен контур, генерирующий магнитное поле, что дало уменьшение сопротивления записи на 38%. Это улучшение называется “метод вилки“ и представляет из себя разветвление контура, по которому проходит ток.

Память MRAM совмещает в себе достоинства динамической и флэш-памяти. Она имеет небольшое время чтения/записи и вместе с тем является энергонезависимой. Она идеально подходит для использования в портативных устройствах, питающихся от аккумуляторов, например, карманных компьютерах или смартфонах. Выгода потребителей от этого новшества будет заключаться в более быстром запуске компьютеров, КПК, мобильных телефонов, а также в ускорении загрузки данных, уменьшении вероятности потери данных и увеличении срока службы батарей. Но на этом преимущества новой памяти не заканчиваются. Наряду с оптимизацией быстродействия и ёмкости, размер микрочипа уменьшился в среднем на 30%, что тоже немаловажно в применении MRAM в мобильных устройствах.